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低压MOS管 3400 SOT-23
低压MOS管 3400 SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:3400
产品封装:SOT-23
产品标题:低压MOS管 3400 SOT-23 手机快充MOS管 A09T 场效应管丝印
咨询热线:0769-89027776

产品详情


低压MOS管 3400 SOT-23 手机快充MOS管 A09T 场效应管丝印



手机快充MOS管 3400的特点:

  • VDS=30V

  • ID=5.8A

  • RDS(ON)<28mΩ@VGS=10V

  • 封装:SOT-23



手机快充MOS管 3400的应用领域:

  • 锂电池保护

  • 手机快充



手机快充MOS管 3400的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:30V

  • 栅极-源极电压 VGS:±12V

  • 漏极电流-连续 ID:5.8A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:20A

  • 总耗散功率 PD:1W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃

  • 结到环境的热阻 RθJA:125℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:85℃/W



手机快充MOS管 3400的电特性:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压3033
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=5.8A


2028

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=5A


2432

静态漏源导通电阻

VGS=2.5V,ID=4A


3155
VGS(th)
栅极开启电压0.50.851.2V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导

25
S
Qg栅极电荷
11.5
nC
Qgs栅源电荷密度
1.6
Qgd栅漏电荷密度
2.9
Ciss输入电容
860
pF
Coss输出电容
84
Crss反向传输电容
70
td(on)开启延迟时间
5
ns
tr开启上升时间
47
td(off)关断延迟时间
26
tf
开启下降时间
8


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