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20VP沟道MOS管 40P02 PDFN3X3-8L
20VP沟道MOS管 40P02 PDFN3X3-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:40P02
产品封装:PDFN3X3-8L
产品标题:20VP沟道MOS管 40P02 PDFN3X3-8L 大功率场效应管 贴片MOSFET
咨询热线:0769-89027776

产品详情


20VP沟道MOS管 40P02 PDFN3X3-8L 大功率场效应管 贴片MOSFET



贴片MOSFET 40P02的产品特点:

  • VDS=-20V

  • ID=-40A

  • RDS(ON)<12mΩ@VGS=-4.5V(Type:8mΩ)



贴片MOSFET 40P02的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



贴片MOSFET 40P02的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-20V

  • 栅极-源极电压 VGS:±12V

  • 漏极电流-连续 ID:-40A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-160A

  • 总耗散功率 PD:60W

  • 结到环境的热阻 RθJA:83℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:4.5℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



贴片MOSFET 40P02的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-20-22
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-10A


812
静态漏源导通电阻

VGS=-2.5V,ID=-5A


11116
VGS(th)
栅极开启电压-0.4-0.65-1V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导12

S
Qg栅极电荷
63
nC
Qgs栅源电荷密度

9.1


Qgd栅漏电荷密度
13
Ciss输入电容
1600
pF
Coss输出电容
350
Crss反向传输电容
300
td(on)开启延迟时间
10
ns
tr开启上升时间

15


td(off)关断延迟时间
110
tf
开启下降时间
70


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